Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本

200亿元功率芯片项目落户赣州 2020/02/08

2020年半导体有望复苏预计获利年增8至12 2020/02/08

2023年RF_GaN市场增长至17亿美元_Qorvo等受益 2020/02/08

Ⅱ-Ⅵ签署史上金额最大订单超1亿美元为5G基站射频功率放大器提供碳化硅衬底 2020/02/08

ADI的RF前端系列支持实现紧凑型5G大规模MIMO网络无线电 2020/02/08

FBH主导的“基于AlN的功率晶体管(ForMikro-LeitBAN)”的项目启动 2020/02/08

GaN(氮化镓)逆变器成功应用于电动汽车有望实现节能再增20% 2020/02/08

GaN和SiC增利效应拉高市场竞逐日趋白热化 2020/02/08

Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET) 2020/02/08

Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本 2020/02/08

Soitec宣布与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的开发计划 2020/02/08

TDK推出用于5G网络毫米波段的积层带通滤波器 2020/02/08

UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗 2020/02/08

Vishay推出新款共漏极双N沟道60VMOSFE 2020/02/08